- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,018
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 75W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 80A (Tc) | 7.9 mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 120µA | 92nC @ 10V | 5430pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,820
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-313 | 75W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 70A (Tc) | 7.8 mOhm @ 70A, 10V | 2.2V @ 120µA | 92nC @ 10V | 5430pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
3,480
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8-34 | 75W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 100A (Tc) | 2.6 mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 30µA | 55nC @ 10V | 2925pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |