- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,617
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO262-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3-1 | 136W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 120A (Tc) | 3.4 mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 340µA | 234nC @ 10V | 15000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,643
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PG-TDSON-8-23 | 63W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 60A (Tc) | 5.6 mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 30µA | 43nC @ 10V | 3600pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |