- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,059
有现货
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ON Semiconductor | PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 214W (Tj) | P-Channel | - | 40V | 80A (Tc) | 4.9 mOhm @ 80A, 10V | 3V @ 250µA | 107nC @ 10V | 4840pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,604
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH PWR TRENCH PT8-40V | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | Power56 | 214W (Tj) | P-Channel | - | 40V | 80A (Tc) | 4.9 mOhm @ 80A, 10V | 3V @ 250µA | 107nC @ 10V | 4840pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,008
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 125W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 80A (Tc) | 4.9 mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 151nC @ 10V | 10300pF @ 25V | 10V | ±20V |