- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,753
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 96W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 75A (Tc) | 7.4 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 24nC @ 10V | 1730pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,695
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 34W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 40A (Tc) | 7.4 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 10µA | 17nC @ 10V | 920pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,858
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 34W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 40A (Tc) | 7.4 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 10µA | 17nC @ 10V | 920pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,650
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 34W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 40A (Tc) | 7.4 mOhm @ 20A, 10V | 2V @ 10µA | 17nC @ 10V | 920pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
3,764
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 96W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 75A (Tc) | 7.4 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 24nC @ 10V | 1730pF @ 25V | 10V | ±20V |