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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFet Single 3.1W (Ta), 31W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Tc) 15 mOhm @ 7.4A, 10V 2V @ 250µA 51nC @ 10V 1610pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFet Single 3.1W (Ta), 31W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Tc) 15 mOhm @ 7.4A, 10V 2V @ 250µA 51nC @ 10V 1610pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFet Single 31W (Tc) N-Channel - 30V 25A (Tc) 6.4 mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V 1610pF @ 15V 4.5V, 10V +20V, -16V
FDS6692A
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.47W (Ta) N-Channel - 30V 9A (Ta) 11.5 mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 250µA 29nC @ 10V 1610pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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