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Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7424GTRPBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) P-Channel - 30V 11A (Ta) 13.5 mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 4030pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SI4642DY-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) N-Channel - 30V 34A (Tc) 3.75 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 1mA 110nC @ 10V 5540pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 83W (Tc) N-Channel - 30V 32A (Tc) 3.9 mOhm @ 10.3A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 6210pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 7.1W (Tc) N-Channel - 30V 32A (Tc) 3.8 mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 5400pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF7424TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) P-Channel - 30V 11A (Ta) 13.5 mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 4030pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRF7424TR
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) P-Channel - 30V 11A (Tc) 13.5 mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 4030pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FDMC012N03
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN Power33 2.3W (Ta), 64W (Tc) N-Channel - 30V 35A (Ta), 185A (Tc) 1.23 mOhm @ 35A, 10V 2V @ 250µA 110nC @ 10V 8183pF @ 15V 4.5V, 10V ±12V
TPHR6503PL,L1Q
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP U-MOSIX-H Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 960mW (Ta), 170W (Tc) N-Channel - 30V 150A (Tc) 0.65 mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 1mA 110nC @ 10V 10000pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI7658ADP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 30V 60A (Tc) 2.2 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 4590pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIS413DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel - 30V 18A (Tc) 9.4 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 110nC @ 10V 4280pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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