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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFHM831TRPBF
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2,546
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 14A PQFN HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (3x3) 2.5W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 7.8 mOhm @ 12A, 10V 2.35V @ 25µA 16nC @ 10V 1050pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRFHM8330TRPBF
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3,798
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 2.7W (Ta), 33W (Tc) N-Channel - 30V 16A (Ta) 6.6 mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 25µA 20nC @ 10V 1450pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRFHM8334TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 2.7W (Ta), 28W (Tc) N-Channel - 30V 13A (Ta) 9 mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 25µA 15nC @ 10V 1180pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8330TRPBF
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RFQ
1,766
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.3W (Ta), 35W (Tc) N-Channel - 30V 17A (Ta), 56A (Tc) 6.6 mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 25µA 20nC @ 10V 1450pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8337TRPBF
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RFQ
3,545
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 10V 790pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFH8334TRPBF
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RFQ
663
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PQFN (5x6) 3.2W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 30V 14A (Ta), 44A (Tc) 9 mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 25µA 15nC @ 10V 1180pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
IRFHM8342TRPBF
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RFQ
812
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 2.6W (Ta), 20W (Tc) N-Channel - 30V 10A (Ta) 16 mOhm @ 17A, 10V 2.35V @ 25µA 7.5nC @ 4.5V 560pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRFHM8337TRPBF
单位
$0.23
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RFQ
3,887
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 2.8W (Ta), 25W (Tc) N-Channel - 30V 12A (Ta) 12.4 mOhm @ 12A, 10V 2.35V @ 25µA 8.1nC @ 4.5V 755pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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