- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,886
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 40W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 9A (Ta), 39.5A (Tc) | 18 mOhm @ 20A, 10V | 3.1V @ 48µA | 30nC @ 10V | 2220pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,498
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 45W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 15A (Ta), 40A (Tc) | 5.8 mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 30nC @ 10V | 2400pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,001
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8 | 2.1W (Ta), 40W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 9A (Ta), 39.6A (Tc) | 18 mOhm @ 20A, 10V | 3.1V @ 48µA | 30nC @ 10V | 2220pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V |