- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,934
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6 | PowerTrench® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerUFDFN | MicroFet 1.6x1.6 Thin | 2.1W (Ta) | N-Channel | 30V | 6A (Ta) | 40 mOhm @ 6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | 760pF @ 15V | 1.8V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,791
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-VDFN Exposed Pad | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | N-Channel | 30V | 9A (Ta) | 19 mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | 760pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,334
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | HEXFET® | Not For New Designs | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | 30V | 11A (Ta) | 11.9 mOhm @ 11A, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.3nC @ 4.5V | 760pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
632
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | 30V | 11A (Ta) | 11.9 mOhm @ 11A, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.3nC @ 4.5V | 760pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
645
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-VDFN Exposed Pad | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | N-Channel | 30V | 9A (Ta) | 21 mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | 760pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,664
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 3.1W (Ta) | P-Channel | 30V | 8A (Ta) | 32 mOhm @ 8A, 10V | 2.4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 760pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1