- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,730
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 3.1W (Ta) | N-Channel | 30V | 10A (Ta) | 19.5 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | 715pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
720
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 30V | 6.5A (Ta) | 19.5 mOhm @ 10A, 10V | 1.8V @ 250µA | 13nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,869
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 30V | 6.5A (Ta) | 19.5 mOhm @ 10A, 10V | 1.8V @ 250µA | 13nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1