- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,667
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-PDFN (3x3) | 27.8W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 36A (Tc) | 15 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 29.3nC @ 10V | 1829pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,288
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerDI3333-8 | 27.8W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 16A (Ta), 55.6A (Tc) | 6 mOhm @ 12A, 10V | 3V @ 250µA | 22.6nC @ 10V | 1320pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |