- 工作温度 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,712
有现货
|
Rohm Semiconductor | 2.5V DRIVE NCH MOSFET | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | 3-SMD, Flat Leads | TUMT3 | 800mW (Ta) | N-Channel | - | 30V | 2.5A (Ta) | 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 5.2nC @ 4.5V | 270pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | - | ||
|
|
获得报价 |
2,028
有现货
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020- | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | U-DFN2020-6 (Type F) | 800mW (Ta) | N-Channel | - | 30V | 14.1A (Ta) | 7 mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 22.6nC @ 10V | 1320pF @ 15V | 3.7V, 10V | ±20V |