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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,172
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Renesas Electronics America MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HVSON (5.4x5.15) 1.5W (Ta) P-Channel - 30V 85A (Ta) 5.7 mOhm @ 23A, 4.5V - 153nC @ 10V 6050pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIR403EDP-T1-GE3
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$0.37
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RFQ
2,361
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 56.8W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Tc) 6.5 mOhm @ 13A, 10V 2.8V @ 250µA 153nC @ 10V 4620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI4491EDY-T1-GE3
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RFQ
835
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) P-Channel - 30V 17.3A (Ta) 6.5 mOhm @ 13A, 10V 2.8V @ 250µA 153nC @ 10V 4620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI4491EDY-T1-GE3
单位
$1.04
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RFQ
3,917
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) P-Channel - 30V 17.3A (Ta) 6.5 mOhm @ 13A, 10V 2.8V @ 250µA 153nC @ 10V 4620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SI4491EDY-T1-GE3
单位
$0.40
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RFQ
2,539
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) P-Channel - 30V 17.3A (Ta) 6.5 mOhm @ 13A, 10V 2.8V @ 250µA 153nC @ 10V 4620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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