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漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(th)(最大)@Id :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
HAT1072H-EL-E
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Renesas Electronics America MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 30W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Ta) 4.5 mOhm @ 20A, 10V - 155nC @ 10V 9500pF @ 10V 4.5V, 10V +10V, -20V
ATP102-TL-H
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount ATPAK (2 leads+tab) ATPAK 40W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Ta) 18.5 mOhm @ 20A, 10V - 34nC @ 10V 1490pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
ATP102-TL-H
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount ATPAK (2 leads+tab) ATPAK 40W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Ta) 18.5 mOhm @ 20A, 10V - 34nC @ 10V 1490pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
ATP102-TL-H
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount ATPAK (2 leads+tab) ATPAK 40W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Ta) 18.5 mOhm @ 20A, 10V - 34nC @ 10V 1490pF @ 10V - -
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3 U-MOSVI Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK+ 68W (Tc) P-Channel - 40V 40A (Ta) 9.1 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 1mA 83nC @ 10V 4140pF @ 10V 6V, 10V +10V, -20V
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 45W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Ta) 4.2 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 1mA 184nC @ 10V 7880pF @ 10V 4V, 10V ±20V
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 45W (Tc) P-Channel - 30V 40A (Ta) 6 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 1mA 109nC @ 10V 4600pF @ 10V 4V, 10V ±20V
BUK6Y32-60PX
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Nexperia USA Inc. BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 106W (Ta) P-Channel - 60V 40A (Ta) 32 mOhm @ 6.6A, 10V 3V @ 250µA 52.9nC @ 10V 2.59nF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 106W (Ta) P-Channel - 60V 40A (Ta) 32 mOhm @ 6.6A, 10V 3V @ 250µA 52.9nC @ 10V 2.59nF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 106W (Ta) P-Channel - 60V 40A (Ta) 32 mOhm @ 6.6A, 10V 3V @ 250µA 52.9nC @ 10V 2.59nF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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