- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,113
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 1.38W (Tj) | P-Channel | - | 20V | 6.9A (Ta) | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V | 450mV @ 250µA | 32nC @ 4.5V | 3200pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,775
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | 6-TSOP | 2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 6.9A (Ta) | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12nC @ 4.5V | 905pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,134
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | 6-TSOP | 2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 6.9A (Ta) | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12nC @ 4.5V | 905pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,800
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | 6-TSOP | 2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 6.9A (Ta) | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12nC @ 4.5V | 905pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V |