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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
2SJ681(Q)
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RFQ
603
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak PW-MOLD2 20W (Ta) P-Channel 60V 5A (Ta) 170 mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 15nC @ 10V 700pF @ 10V 4V, 10V ±20V
2SJ610(TE16L1,NQ)
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RFQ
1,308
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PW-MOLD 20W (Ta) P-Channel 250V 2A (Ta) 2.55 Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 1mA 24nC @ 10V 381pF @ 10V 10V ±20V
RSD130P10TL
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RFQ
2,259
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 100V 13A SOT428 - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 CPT3 20W (Ta) P-Channel 100V 13A (Ta) - - - - 4V, 10V ±20V
RSD130P10TL
单位
$1.74
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RFQ
1,483
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 100V 13A SOT428 - Not For New Designs Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 CPT3 20W (Ta) P-Channel 100V 13A (Ta) - - - - 4V, 10V ±20V
RSD130P10TL
单位
$0.73
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RFQ
1,978
有现货
Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 100V 13A SOT428 - Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 CPT3 20W (Ta) P-Channel 100V 13A (Ta) - - - - 4V, 10V ±20V
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