- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,837
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXFA) | 300W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 7A (Tc) | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V | 6V @ 1mA | 47nC @ 10V | 2590pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
779
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 300W (Tc) | N-Channel | - | 1000V | 7A (Tc) | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V | 6V @ 1mA | 47nC @ 10V | 2590pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,845
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | ISOPLUS247™ | ISOPLUS247™ | 200W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 10.5A (Tc) | 660 mOhm @ 9A, 10V | 6V @ 1mA | 97nC @ 10V | 5230pF @ 25V | 10V | ±30V |