- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,824
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT | MDmesh™ V | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 14-PowerVQFN | PowerFLAT™ (5x5) | 2.5W (Ta), 70W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 1.4A (Ta), 7A (Tc) | 600 mOhm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 15nC @ 10V | 690pF @ 100V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
3,267
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT | MDmesh™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFLAT™ (5x5) | 70W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 5.75A (Tc) | 920 mOhm @ 2.3A, 10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | 420pF @ 50V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
2,481
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT | MDmesh™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFLAT™ (5x5) | 70W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 8.5A (Tc) | 530 mOhm @ 4.25A, 10V | 5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 644pF @ 100V | 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
3,544
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT | MDmesh™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFLAT™ (5x5) | 4W (Ta), 67W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 5A (Tc) | 1.05 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 8.8nC @ 10V | 271pF @ 100V | 10V | ±25V |