- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,633
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247 | MDmesh™ M2-EP | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 18A (Tc) | 188 mOhm @ 9A, 10V | 4.75V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1090pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,337
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 | MDmesh™ M6 | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 208W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 30A (Tc) | 99 mOhm @ 15A, 10V | 4.75V @ 250µA | 44.3nC @ 10V | 1960pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,664
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | MDmesh™ M2-EP | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 170W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 20A (Tc) | 163 mOhm @ 10A, 10V | 4.75V @ 250µA | 33nC @ 10V | 1320pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,882
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247 | MDmesh™ M2-EP | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 250W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 34A (Tc) | 87 mOhm @ 17A, 10V | 4.75V @ 250µA | 55nC @ 10V | 2370pF @ 100V | 10V | ±25V |