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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 8DFN SDMOS™ Last Time Buy - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-DFN-EP (5x6) 2W (Ta), 35W (Tc) N-Channel 100V 6.5A (Ta), 26A (Tc) 25 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 34nC @ 10V 2200pF @ 50V 7V, 10V ±25V
NDD60N745U1-1G
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4 - Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 84W (Tc) N-Channel 600V 6.6A (Tc) 745 mOhm @ 3.25A, 10V 4V @ 250µA 15nC @ 10V 440pF @ 50V 10V ±25V
NDD60N900U1-35G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 - Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 74W (Tc) N-Channel 600V 5.7A (Tc) 900 mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V 360pF @ 50V 10V ±25V
NDD60N900U1-1G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4 - Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 74W (Tc) N-Channel 600V 5.7A (Tc) 900 mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V 360pF @ 50V 10V ±25V
NDD60N550U1-35G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3 - Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA IPAK (TO-251) 94W (Tc) N-Channel 600V 8.2A (Tc) 550 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 18nC @ 10V 540pF @ 50V 10V ±25V
NDD60N550U1-1G
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RFQ
2,364
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4 - Last Time Buy Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA IPAK (TO-251) 94W (Tc) N-Channel 600V 8.2A (Tc) 550 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 18nC @ 10V 540pF @ 50V 10V ±25V
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