- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,678
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 | STripFET™ V | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 70W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 80A (Tc) | 4.9 mOhm @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 13.4nC @ 5V | 1817pF @ 25V | 5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,833
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A IPAK | DeepGATE™, STripFET™ VI | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 70W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 80A (Tc) | 4.7 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 20nC @ 4.5V | 2200pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±25V |