- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,452
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerFlat™ HV | PowerFlat™ (8x8) HV | 150W (Tc) | N-Channel | 650V | 20A (Tc) | 154 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 1790pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,775
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerFlat™ HV | PowerFlat™ (8x8) HV | 150W (Tc) | N-Channel | 650V | 20A (Tc) | 154 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 1790pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,475
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., | MDmesh™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerFlat™ HV | PowerFlat™ (8x8) HV | 150W (Tc) | N-Channel | 650V | 20A (Tc) | 154 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 41.5nC @ 10V | 1790pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,596
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP | MDmesh™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FP | 30W (Tc) | N-Channel | 600V | 20A (Tc) | 165 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | - | - | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,291
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP | MDmesh™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | I2PAKFP (TO-281) | 30W (Tc) | N-Channel | 600V | 20A (Tc) | 165 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | - | - | 10V | ±25V |