- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,551
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK (TO-262) | 3.13W (Ta), 65W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 16.5A (Tc) | 115 mOhm @ 8.25A, 10V | 4V @ 250µA | 15nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
765
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK | MDmesh™ V | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 70W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 7A (Tc) | 600 mOhm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 15nC @ 10V | 690pF @ 100V | 10V | ±25V |