- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,462
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK (TO-262) | 190W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 26A (Tc) | 125 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 45.5nC @ 10V | 1781pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
|
|
获得报价 |
2,865
有现货
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 150W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 18A (Tc) | 190 mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1060pF @ 100V | 10V | ±25V |