- 系列 :
- 零件状态 :
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- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
992
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 34.2A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 60W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 34.2A (Tc) | 26 mOhm @ 17.1A, 10V | 4V @ 250µA | 98nC @ 10V | 2730pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
822
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP | MDmesh™ V | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220FP | 40W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 42A (Tc) | 63 mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 250µA | 98nC @ 10V | 4200pF @ 100V | 10V | ±25V |