- 系列 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,054
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220 | SDMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 2.1W (Ta), 333W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 9.5A (Ta), 105A (Tc) | 10 mOhm @ 20A, 10V | 3.9V @ 250µA | 83nC @ 10V | 5200pF @ 50V | 7V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,824
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK | MDmesh™ V | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 160W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 27A (Tc) | 98 mOhm @ 13.5A, 10V | 5V @ 250µA | 83nC @ 10V | 3750pF @ 100V | 10V | ±25V |