- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,435
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 | FDmesh™ II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 350W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 51A (Tc) | 60 mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 250µA | 190nC @ 10V | 5800pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,630
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 | FDmesh™ II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 350W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 49A (Tc) | 65 mOhm @ 24.5A, 10V | 5V @ 250µA | 188nC @ 10V | 6200pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,892
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247 | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 350W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 52A (Tc) | 55 mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 250µA | 91nC @ 10V | 3750pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,521
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-4 | TO-247-4L | 350W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 52A (Tc) | 55 mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 250µA | 91nC @ 10V | 3750pF @ 100V | 10V | ±25V |