- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,747
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK | MDmesh™ M2 | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK (TO-262) | 170W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 22A (Tc) | 150 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 36nC @ 10V | 1440pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,843
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK (TO-262) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 50A (Tc) | 22 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 41nC @ 10V | 1540pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,462
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK (TO-262) | 190W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 26A (Tc) | 125 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 45.5nC @ 10V | 1781pF @ 100V | 10V | ±25V |