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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STW70N60M2-4
单位
$7.86
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RFQ
2,080
有现货
STMicroelectronics POWER MOSFET MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 450W (Tc) N-Channel - 600V 68A (Tc) 40 mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 118nC @ 10V 5200pF @ 100V 10V ±25V
STW48N60M2
单位
$9.05
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RFQ
2,732
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 300W (Tc) N-Channel - 600V 42A (Tc) 70 mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 3060pF @ 100V 10V ±25V
STW56N60M2
单位
$7.19
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RFQ
1,892
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 52A TO247 MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 350W (Tc) N-Channel - 600V 52A (Tc) 55 mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 91nC @ 10V 3750pF @ 100V 10V ±25V
STW56N65M2
单位
$8.26
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RFQ
1,152
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 49A TO247 MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 358W (Tc) N-Channel - 650V 49A (Tc) 62 mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 250µA 93nC @ 10V 3900pF @ 100V 10V ±25V
STW40N65M2
单位
$5.43
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RFQ
790
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 32A TO247 MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 250W (Tc) N-Channel - 650V 32A (Tc) 99 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 56.5nC @ 10V 2355pF @ 100V 10V ±25V
STW28N65M2
单位
$3.03
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RFQ
1,932
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 20A TO247 MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 170W (Tc) N-Channel - 650V 20A (Tc) 180 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 1440pF @ 100V 10V ±25V
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