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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247 MDmesh™ DM2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 Long Leads 446W (Tc) N-Channel - 600V 66A (Tc) 42 mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 120nC @ 10V 5508pF @ 100V 10V ±25V
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STMicroelectronics MOSFET MDmesh™ DM2 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 Long Leads 300W (Tc) N-Channel - 600V 40A (Tc) 79 mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 70nC @ 10V 3250pF @ 100V 10V ±25V
STWA48N60M2
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 MDmesh™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 Long Leads 300W (Tc) N-Channel - 600V 42A (Tc) 70 mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 3060pF @ 100V 10V ±25V
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