- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,147
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V TO-247 | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 330W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 46A (Tc) | 49 mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 250µA | 142nC @ 10V | 6420pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
883
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 58A TO-247 | MDmesh™ V | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 330W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 58A (Tc) | 45 mOhm @ 29A, 10V | 5V @ 250µA | 143nC @ 10V | 6420pF @ 100V | 10V | ±25V |