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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	STW32NM50N	单位 $6.22	获得报价	PDF RFQ	3,352 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N CH 500V 22A TO-247	MDmesh™ II	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	190W (Tc)	N-Channel	-	500V	22A (Tc)	130 mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	62.5nC @ 10V	1973pF @ 50V	10V	±25V
	STW62NM60N	单位 $19.12	获得报价	PDF RFQ	1,476 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 65A TO-247	MDmesh™ II	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	450W (Tc)	N-Channel	-	600V	65A (Tc)	49 mOhm @ 32.5A, 10V	4V @ 250µA	174nC @ 10V	5800pF @ 100V	10V	±25V
	STW48NM60N	单位 $13.32	获得报价	PDF RFQ	663 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 39A TO-247	MDmesh™ II	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	330W (Tc)	N-Channel	-	600V	44A (Tc)	70 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	124nC @ 10V	4285pF @ 50V	10V	±25V
	STW56NM60N	单位 $14.57	获得报价	PDF RFQ	2,493 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N CH 600V 45A TO-247	MDmesh™ II	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	300W (Tc)	N-Channel	-	600V	45A (Tc)	60 mOhm @ 22.5A, 10V	4V @ 250µA	150nC @ 10V	4800pF @ 50V	10V	±25V
	STW60NM50N	单位 $18.55	获得报价	PDF RFQ	3,270 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N CH 500V 68A TO-247	MDmesh™ II	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	446W (Tc)	N-Channel	-	500V	68A (Tc)	43 mOhm @ 34A, 10V	4V @ 250µA	178nC @ 10V	5790pF @ 100V	10V	±25V

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