- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,842
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 680mW (Ta) | N-Channel | - | 30V | 4.5A (Ta) | 24 mOhm @ 6.9A, 10V | 3V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | 520pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,055
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 5.5A (Tc) | 84 mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | 335pF @ 75V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,440
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 5.5A (Tc) | 84 mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | 335pF @ 75V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,051
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 5.5A (Tc) | 84 mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 9.5nC @ 10V | 335pF @ 75V | 6V, 10V | ±20V |