- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,393
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 80A (Tc) | 8.5 mOhm @ 52A, 10V | 2V @ 125µA | 105nC @ 10V | 2620pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,474
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 80A (Tc) | 8.5 mOhm @ 52A, 10V | 2V @ 125µA | 105nC @ 10V | 3480pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
839
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | OptiMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 80A (Tc) | 8.5 mOhm @ 52A, 10V | 2V @ 125µA | 105nC @ 10V | 3480pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,720
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | OptiMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 80A (Tc) | 8.5 mOhm @ 52A, 10V | 2V @ 125µA | 105nC @ 10V | 2620pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |