- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,778
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8-FL | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 8A (Ta), 40A (Tc) | 9.7 mOhm @ 20A, 10V | 3.8V @ 36µA | 28nC @ 10V | 2080pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
825
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 74A (Tc) | 7.2 mOhm @ 37A, 10V | 3.8V @ 36µA | 29nC @ 10V | 2100pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,370
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 60A (Tc) | 9.8 mOhm @ 30A, 10V | 3.8V @ 36µA | 28nC @ 10V | 2100pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,518
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TSDSON-8-FL | 69W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 40A (Tc) | 7.5 mOhm @ 20A, 10V | 3.8V @ 36µA | 29.5nC @ 10V | 2080pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |