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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
635
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B | U-MOSVII | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-UDFNB (2x2) | 1.25W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 9A (Ta) | 19.5 mOhm @ 4A, 10V | 2.5V @ 100µA | 4.8nC @ 4.5V | 620pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,368
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B | U-MOSVII | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-UDFNB (2x2) | 1.25W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 9A (Ta) | 19.5 mOhm @ 4A, 10V | 2.5V @ 100µA | 4.8nC @ 4.5V | 620pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,405
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B | U-MOSVII | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-UDFNB (2x2) | 1.25W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 9A (Ta) | 19.5 mOhm @ 4A, 10V | 2.5V @ 100µA | 4.8nC @ 4.5V | 620pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |