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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI4836DY-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 400mV @ 250µA (Min) 75nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI4836DY-T1-E3
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3,956
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 400mV @ 250µA (Min) 75nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI4836DY-T1-E3
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784
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 400mV @ 250µA (Min) 75nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI4838DY-T1-GE3
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782
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 600mV @ 250µA (Min) 60nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±8V
SI4836DY-T1-GE3
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619
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 400mV @ 250µA (Min) 75nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI4838DY-T1-E3
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3,542
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 600mV @ 250µA (Min) 60nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±8V
SI4838DY-T1-E3
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2,123
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 600mV @ 250µA (Min) 60nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±8V
SI4838DY-T1-E3
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3,588
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.6W (Ta) N-Channel - 12V 17A (Ta) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 600mV @ 250µA (Min) 60nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±8V
PH2925U,115
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 62.5W (Tc) N-Channel - 25V 100A (Tc) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 950mV @ 1mA 92nC @ 4.5V 6150pF @ 10V 4.5V ±10V
PH2925U,115
单位
$1.44
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RFQ
1,915
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK TrenchMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 62.5W (Tc) N-Channel - 25V 100A (Tc) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 950mV @ 1mA 92nC @ 4.5V 6150pF @ 10V 4.5V ±10V
PH2925U,115
单位
$0.60
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916
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 62.5W (Tc) N-Channel - 25V 100A (Tc) 3 mOhm @ 25A, 4.5V 950mV @ 1mA 92nC @ 4.5V 6150pF @ 10V 4.5V ±10V
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