- 系列 :
- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
933
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 167W (Tc) | N-Channel | 650V | 8.5A (Tc) | 930 mOhm @ 5.1A, 10V | 4V @ 250µA | 48nC @ 10V | 1417pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,060
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 | CoolMOS™ G7 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8 | 167W (Tc) | N-Channel | 650V | 29A (Tc) | 80 mOhm @ 9.7A, 10V | 4V @ 490µA | 42nC @ 10V | 1640pF @ 400V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,133
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 | CoolMOS™ G7 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8 | 167W (Tc) | N-Channel | 650V | 29A (Tc) | 80 mOhm @ 9.7A, 10V | 4V @ 490µA | 42nC @ 10V | 1640pF @ 400V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,002
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 | CoolMOS™ G7 | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8 | 167W (Tc) | N-Channel | 650V | 29A (Tc) | 80 mOhm @ 9.7A, 10V | 4V @ 490µA | 42nC @ 10V | 1640pF @ 400V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,986
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 167W (Tc) | N-Channel | 650V | 8.5A (Tc) | 930 mOhm @ 5.1A, 10V | 4V @ 250µA | 48nC @ 10V | 1417pF @ 25V | 10V | ±30V |