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Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
GP1M009A060FH
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 9A TO220F - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 51.4W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 1 Ohm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V 1440pF @ 25V 10V ±30V
FQPF10N60CF
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F FRFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 50W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 800 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 57nC @ 10V 2040pF @ 25V 10V ±30V
IPA60R180C7XKSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO220-3 CoolMOS™ C7 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220-FP 29W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 180 mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24nC @ 10V 1080pF @ 400V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 83.3W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 385 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V 1240pF @ 100V 10V ±30V
STF12N60M2
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 9A TO-220FP MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 25W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 450 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 16nC @ 10V 538pF @ 100V 10V ±25V
R6009KNX
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FM 48W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Isolated) 600V 9A (Tc) 535 mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 1mA 16.5nC @ 10V 540pF @ 25V 10V ±20V
IPA60R360P7SXKSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220 Full Pack 22W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 360 mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 140µA 13nC @ 10V 555pF @ 400V 10V ±20V
R6009ENX
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FM 40W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 535 mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23nC @ 10V 430pF @ 25V 10V ±20V
IPA60R385CPXKSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3 CoolMOS™ Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO-220-FP 31W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 385 mOhm @ 5.2A, 10V 3.5V @ 340µA 22nC @ 10V 790pF @ 100V 10V ±20V
FCPF9N60NT
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220F SuperMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 29.8W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 385 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V 1240pF @ 100V 10V ±30V
FDPF10N60ZUT
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 UniFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 42W (Tc) N-Channel - 600V 9A (Tc) 800 mOhm @ 4.5A, 10V 5V @ 250µA 40nC @ 10V 1980pF @ 25V 10V ±30V
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