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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 | POWER MOS 8™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP® | 960W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 33A (Tc) | 320 mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 2.5mA | 560nC @ 10V | 18200pF @ 25V | 10V | ±30V |