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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,440
有现货
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EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | N-Channel | - | 80V | 48A (Ta) | 3.2 mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 12mA | 13nC @ 5V | 1410pF @ 40V | 5V | +6V, -4V | |||
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获得报价 |
2,648
有现货
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EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Cut Tape (CT) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | N-Channel | - | 80V | 48A (Ta) | 3.2 mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 12mA | 13nC @ 5V | 1410pF @ 40V | 5V | +6V, -4V | |||
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获得报价 |
2,600
有现货
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EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | N-Channel | - | 80V | 48A (Ta) | 3.2 mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 12mA | 13nC @ 5V | 1410pF @ 40V | 5V | +6V, -4V |