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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TK16V60W,LVQ
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1,411
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN DTMOSIV Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 4-VSFN Exposed Pad 4-DFN-EP (8x8) 139W (Tc) N-Channel Super Junction 600V 15.8A (Ta) 190 mOhm @ 7.9A, 10V 3.7V @ 790µA 38nC @ 10V 1350pF @ 300V 10V ±30V
CSD18512Q5B
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3,804
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Texas Instruments 40V N CH MOSFET NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 139W (Tc) N-Channel - 40V 211A (Tc) 1.6 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA - 7120pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
FCMT180N65S3
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3,323
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ON Semiconductor SUPERFET3 650V PQFN88 SuperFET® III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN Power88 139W (Tc) N-Channel - 650V 17A (Tc) 180 mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.8mA 33nC @ 10V 1350pF @ 400V 10V ±30V
BSC093N15NS5ATMA1
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3,483
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 139W (Tc) N-Channel - 150V 87A (Tc) 9.3 mOhm @ 44A, 10V 4.6V @ 107µA 40.7nC @ 10V 3230pF @ 75V 8V, 10V ±20V
BSC077N12NS3GATMA1
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RFQ
908
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 139W (Tc) N-Channel - 120V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 7.7 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 110µA 88nC @ 10V 5700pF @ 60V 10V ±20V
IPB60R199CPATMA1
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2,659
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 16A TO-263 CoolMOS™ Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 139W (Tc) N-Channel - 650V 16A (Tc) 199 mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 43nC @ 10V 1520pF @ 100V 10V ±20V
IPL60R199CPAUMA1
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1,249
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON CoolMOS™ Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 139W (Tc) N-Channel - 650V 16.4A (Tc) 199 mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 32nC @ 10V 1520pF @ 100V 10V ±20V
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RFQ
2,963
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Infineon Technologies MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 CoolMOS™ G7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PowerSOP Module PG-HDSOP-10-1 139W (Tc) N-Channel - 600V 23A (Tc) 102 mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34nC @ 10V 1320pF @ 400V 10V ±20V
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