- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,190
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 3.3W (Ta) | P-Channel | - | 40V | 45A (Tc) | 11 mOhm @ 9.8A, 10V | 2.5V @ 250µA | 91nC @ 10V | 4234pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,418
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 3.3W (Ta) | N-Channel | - | 60V | 16.5A (Ta), 88A (Tc) | 8 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 40.1nC @ 10V | 2597pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,651
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | SuperMESH3™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 3.3W (Ta) | N-Channel | - | 400V | 1.8A (Tc) | 3.4 Ohm @ 600mA, 10V | 4.5V @ 50µA | 11nC @ 10V | 165pF @ 50V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1