晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IPI12CNE8N G		获得报价	PDF RFQ	3,542 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3	OptiMOS™	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	PG-TO262-3	125W (Tc)	N-Channel	-	85V	67A (Tc)	12.6 mOhm @ 67A, 10V	4V @ 83µA	64nC @ 10V	4340pF @ 40V	10V	±20V
	IPI12CN10N G		获得报价	PDF RFQ	972 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3	OptiMOS™	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	PG-TO262-3	125W (Tc)	N-Channel	-	100V	67A (Tc)	12.9 mOhm @ 67A, 10V	4V @ 83µA	65nC @ 10V	4320pF @ 50V	10V	±20V
	IPI70N10S3L12AKSA1		获得报价	PDF RFQ	2,387 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3	OptiMOS™	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	PG-TO262-3	125W (Tc)	N-Channel	-	100V	70A (Tc)	12.1 mOhm @ 70A, 10V	2.4V @ 83µA	80nC @ 10V	5550pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IPI70N10S312AKSA1	单位 $0.94	获得报价	PDF RFQ	2,551 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3	OptiMOS™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	PG-TO262-3	125W (Tc)	N-Channel	-	100V	70A (Tc)	11.6 mOhm @ 70A, 10V	4V @ 83µA	66nC @ 10V	4355pF @ 25V	10V	±20V
	IPI086N10N3GXKSA1	单位 $1.58	获得报价	PDF RFQ	1,959 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3	OptiMOS™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	PG-TO262-3	125W (Tc)	N-Channel	-	100V	80A (Tc)	8.6 mOhm @ 73A, 10V	3.5V @ 75µA	55nC @ 10V	3980pF @ 50V	6V, 10V	±20V

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