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漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI2329DS-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 2.5W (Tc) P-Channel - 8V 6A (Tc) 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V 800mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 1485pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 2.5W (Tc) P-Channel - 8V 6A (Tc) 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V 800mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 1485pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
SI2342DS-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 2.5W (Tc) N-Channel - 8V 6A (Tc) 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V 800mV @ 250µA 15.8nC @ 4.5V 1070pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 2.5W (Tc) N-Channel - 8V 6A (Tc) 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V 800mV @ 250µA 15.8nC @ 4.5V 1070pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 2.5W (Tc) P-Channel - 20V 6A (Tc) 34 mOhm @ 5.1A, 10V 1.5V @ 250µA 20nC @ 4.5V 835pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 2.5W (Tc) P-Channel - 20V 6A (Tc) 34 mOhm @ 5.1A, 10V 1.5V @ 250µA 20nC @ 4.5V 835pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
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