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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TSM8N70CI C0G
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RFQ
3,139
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab ITO-220 40W (Tc) N-Channel - 700V 8A (Tc) 900 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V 2006pF @ 25V 10V ±30V
SIHF8N50L-E3
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RFQ
2,920
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 40W (Tc) N-Channel - 500V 8A (Tc) 1 Ohm @ 4A, 10V 5V @ 250µA - 873pF @ 25V 10V ±30V
STF9NK90Z
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$2.11
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RFQ
2,812
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 8A TO-220FP SuperMESH™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 40W (Tc) N-Channel - 900V 8A (Tc) 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 100µA 72nC @ 10V 2115pF @ 25V 10V ±30V
ZDX080N50
单位
$1.29
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RFQ
2,927
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM - Not For New Designs Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FM 40W (Tc) N-Channel - 500V 8A (Tc) 850 mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 23nC @ 10V 1120pF @ 25V 10V ±30V
SPA08N80C3XKSA1
单位
$2.31
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RFQ
833
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP CoolMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220-FP 40W (Tc) N-Channel - 800V 8A (Tc) 650 mOhm @ 5.1A, 10V 3.9V @ 470µA 60nC @ 10V 1100pF @ 100V 10V ±20V
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