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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STD20P3H6AG
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$0.36
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RFQ
2,640
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STMicroelectronics MOSFET PCH 30V 20A DPAK Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 40W (Tc) P-Channel - 30V 20A (Tc) 50 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 12.8nC @ 10V 635pF @ 25V 10V ±20V
STD30N6LF6AG
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RFQ
2,732
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 24A Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 40W (Tc) N-Channel - 60V 24A (Tc) 25 mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V 1320pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STD30N6LF6AG
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$1.06
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RFQ
2,838
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 24A Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 40W (Tc) N-Channel - 60V 24A (Tc) 25 mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V 1320pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STD30N6LF6AG
单位
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RFQ
2,371
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 24A Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 40W (Tc) N-Channel - 60V 24A (Tc) 25 mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V 1320pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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