- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,970
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 100A | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263) | 90W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 100A (Ta) | 5.8 mOhm @ 50A, 10V | - | 280nC @ 10V | 13200pF @ 20V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,690
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK | MESH OVERLAY™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 90W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 15A (Tc) | 160 mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 10V | 800pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
966
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 17A (Tc) | 165 mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 29.5nC @ 10V | 1000pF @ 25V | 10V | ±20V |