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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STF11N60M2-EP
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RFQ
2,336
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP MDmesh™ M2-EP Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 25W (Tc) N-Channel - 600V 7.5A (Tc) 595 mOhm @ 3.75A, 10V 4.75V @ 250µA 12.4nC @ 10V 390pF @ 100V 10V ±25V
STF15N60M2-EP
单位
$1.15
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RFQ
626
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP MDmesh™ M2-EP Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 25W (Tc) N-Channel - 600V 11A (Tc) 378 mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V 590pF @ 100V 10V ±25V
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