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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPB022N04LGATMA1
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RFQ
3,982
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 167W (Tc) N-Channel - 40V 90A (Tc) 2.2 mOhm @ 90A, 10V 2V @ 95µA 166nC @ 10V 13000pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
IPB022N04LGATMA1
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687
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 167W (Tc) N-Channel - 40V 90A (Tc) 2.2 mOhm @ 90A, 10V 2V @ 95µA 166nC @ 10V 13000pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
IPB022N04LGATMA1
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RFQ
641
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 167W (Tc) N-Channel - 40V 90A (Tc) 2.2 mOhm @ 90A, 10V 2V @ 95µA 166nC @ 10V 13000pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
STB50NE10T4
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2,064
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK STripFET™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 180W (Tc) N-Channel - 100V 50A (Tc) 27 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 166nC @ 10V 6000pF @ 25V 10V ±20V
IPB020N08N5ATMA1
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RFQ
932
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 300W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 2 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 208µA 166nC @ 10V 12100pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPB020N08N5ATMA1
单位
$4.18
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RFQ
3,626
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 300W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 2 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 208µA 166nC @ 10V 12100pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPB020N08N5ATMA1
单位
$2.03
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RFQ
769
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 300W (Tc) N-Channel - 80V 120A (Tc) 2 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 208µA 166nC @ 10V 12100pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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